SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 25毫安，我
B
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 10A ;我
B
=1A
V
CB
= 150V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=12V
20
10
民
150
5
2SC1440
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
2.0
2.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
兆赫
2
