SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极
维持电压
2N3771
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N3772
2N3771
2N3772
2N3771
2N3772
2N3771
V
BE
基射极电压上
2N3772
2N3771
I
首席执行官
集电极截止电流
2N3772
2N3771
I
CEV
集电极截止电流
2N3772
2N3771
I
CBO
发射极截止电流
2N3772
2N3771
I
EBO
发射极截止电流
2N3772
2N3771
h
FE-1
直流电流增益
2N3772
2N3771
h
FE-2
直流电流增益
2N3772
f
T
跃迁频率
二次击穿能量
与基地正向偏置
2N3771
2N3772
I
C
= 20A ; V
CE
=4V
I
C
= 1.0A ; V
CE
=4V;f=50kHz
V
CE
=40Vdc,t=1.0s,
不重复
V
CE
=60Vdc,t=1.0s,
不重复
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
I
C
= 30A ; V
CE
=4V
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
V
CE
= 50V ;我
B
=0
V
CE
=50V; V
BE （OFF）的
=1.5V
V
CE
= 30V牛逼
C
=150
V
CE
=100V; V
BE （OFF）的
=1.5V
V
CE
= 45V牛逼
C
=150
V
CB
= 50V ;我
E
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
V
CE
= 30V ;我
B
=0
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
I
C
= 10A ;我
B
=1.0A
I
C
= 30A ;我
B
=6A
条件
符号
2N3771 2N3772
民
40
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
V
60
2.0
V
1.4
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和voltge
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
4.0
I
C
= 20A ;我
B
=4A
I
C
= 15A ; V
CE
=4V
2.7
V
V
2.2
10
2.0
10.0
5.0
10.0
2.0
mA
mA
mA
5.0
5.0
mA
15
60
5
0.2
3.75
兆赫
I
S / B
A
2.5
2
