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298D
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
的？
Leadframeless模压
额定值和外形编码
F
2.5 V
4V
6.3 V
0.68
1.0
K
2.2
/ M
3.3
4.7
K
K * / M
6.8
10
/ M
K * / M
15
K*
22
M
M
33
M
M
47
M
M
P*
100
P*
P
220
P
P
注意：
*初步数值，联系工厂。
10 V
K
/ M
M
M
M
M*
P*
P
16 V
/ M
M
M
25 V
M
35 V
M*
50 V
P*
日前，Vishay斯普拉格
P
记号
M-案例
极性酒吧
电压
CODE
A
K-情况
M-案例
V
CODE
4
G
6.3
J
10
A
16
C
20
D
25
E
35
V
50
T
P-情况
CAP ， μF
CODE
0.68
w
1
A
2.2
J
3.3
N
4.7
S
6.8
W
10
a
15
e
22
l
33
n
47
s
68
w
100
A
150
E
220
J
P-情况
极性酒吧
电容
电压
CODE
CODE
GJ
标准级别
电容
(F)
例
CODE
马克斯。 ESR
马克斯。纹波
MAX 。 DC
马克斯。 DF
AT + 25°C
100千赫
泄漏
AT + 25°C
100千赫
I
RMS
AT + 25°C
(%)
(Ω)
(A)
(A)
2.5 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 3.3 V. 。 。 1.6直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 2.1 V
298D476X02R5M2T
2.4
20
4.0
0.08
298D227X02R5P2T
11.0
30
3.0
0.122
4 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 5.2 V. 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 3.4 V
298D475X0004K2T
0.5
15
20
0.027
298D106X0004K2T
4.0
50
20
0.027
298D106X0004M2T
0.5
8.0
5.0
0.071
(2)
298D156X0004K2T
10
50
20
0.027
298D226X0004M2T
0.9
15
4.0
0.08
298D336X0004M2T
2.6
15
4.0
0.08
298D476X0004M2T
3.8
20
4.0
0.08
298D107X0004P2T
4.0
20
2.0
0.1
298D227X0004P2T
17.6
30
3.0
0.122
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V. 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
298D105X06R3K2T
0.5
6.0
20
0.027
298D225X06R3K2T
0.5
8.0
20
0.027
298D225X06R3M2T
0.5
10
5.0
0.07
298D475X06R3K2T
(2)
4.0
50
20
0.027
298D475X06R3M2T
0.5
8.0
3.0
0.09
298D106X06R3K2T
(2)
10
50
20
0.027
298D106X06R3M2T
0.6
8.0
5.0
0.071
298D156X06R3M2T
1.0
20
7.0
0.06
部分
数
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
ΔC/C
(1)
(%)
47
220
4.7
10
10
15
22
33
47
100
220
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
10
10
15
M
P
K
K
M
K
M
M
M
P
P
K
K
M
K
M
K
M
M
± 30
± 30
± 30
± 30
± 10
± 30
± 15
± 20
± 30
± 30
± 30
± 30
± 30
± 10
± 30
± 10
± 30
± 10
± 20
www.vishay.com
39
文档编号： 40065
修订： 01 09月08
