UG （F ， B） 18ACT通UG （F ， B） 18DCT

威世通用半导体

额定值和特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

24

负载电阻或电感

20

1000

瞬时反向漏

电流（ μA ）

平均正向电流（ A）

T

J

= 125 °C

100

T

J

= 100 °C

16

10

12

1

T

J

= 25 °C

0.1

8

4

0

0

25

50

75

100

125

150

175

0.01

0

20

40

60

80

100

外壳温度（ ° C）

百分比额定峰值反向

电压

(%)

图1.正向电流降额曲线

图4.典型的反向漏电特性每二极管

存储电荷/反向恢复时间

（ NC / NS ）

1000

60

I

F

= 9.0 A

V

R

= 30

V

的di / dt =

40

150 A / μs的

100 A / μs的

20 A / μs的

50 A / μs的

100 A / μs的

50 A / μs的

150 A / μs的

峰值正向浪涌电流（ A）

T

C

= 105 °C

8.3

毫秒单一正弦半波

50

100

30

20

20 A / μs的

10

t

rr

Q

rr

0

25

50

75

100

125

150

175

10

1

10

100

0

数

环，在60赫兹的

结温（ ° C）

图2.最大非重复峰值正向浪涌

目前每二极管

图5.反向开关特性每二极管

100

100

T

J

= 125 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

正向电流（A ）

10

T

J

= 25 °C

脉冲

宽度

= 300

s

1

%

占空比

结Caoacitance （PF ）

1

10

0.1

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图3.典型正向特性每二极管

图6.典型结电容每二极管

文档编号： 88759

修订： 09- NOV- 07

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