初步的技术数据
+V
S
AD8226
射频干扰（ RFI ）
射频整流往往是在放大器中使用的一个问题
应用程序有较强的射频信号。该干扰可能会出现
作为一个小的直流偏置电压。高频信号可以被过滤
用一个低通RC网络放置在仪器的输入端
心理状态的放大器，如示于图8的滤波器限制
输入信号的带宽，根据以下关系式：
FilterFrequency
差异
=
07036-006
0.1F
+ IN
10F
AD8226
In
REF
V
OUT
负载
1
2π
R
(2
C
D
+
C
C
)
0.1F
–V
S
10F
FilterFrequency
CM
=
哪里
C
D
≥
10 C
C
.
图6.电源去耦， REF和输出简称局部地
1
2π
RC
C
+V
S
0.1F
10F
参考文献：
在AD8226的输出电压是相对于
参考端子上的电势。应注意，以
配合REF到合适的本地接地。
输入偏置电流返回路径
在AD8226的输入偏置电流，必须有一个返回路径
到地面。当源，例如热电偶，不能
提供的返回电流路径，应该被创建，如图
在图7中。
不正确
+V
S
C
C
1nF
R
4.02k
C
D
10nF
R
4.02k
C
C
1nF
0.1F
–V
S
10F
07036-008
+ IN
V
OUT
REF
In
R
G
AD8226
正确
+V
S
图8. RFI抑制
AD8226
REF
AD8226
REF
–V
S
变压器
+V
S
–V
S
变压器
+V
S
C
D
影响的差信号，和C
C
影响的共模
信号。 R和C的值
C
应选择以尽量减少射频干扰。
第r ×C之间的不匹配
C
在正输入端和R用×C
C
在负输入降低了AD8226的共模抑制比。通过使用
的C值
D
一个数量级比C大
C
，的效果
失配减小，性能提高。
AD8226
REF
10M
–V
S
热电偶
+V
S
C
C
AD8226
REF
–V
S
热电偶
+V
S
AD8226
C
REF
1
f
高通
=
2πRC
C
R
AD8226
REF
R
–V
S
电容耦合
–V
S
电容耦合
07036-007
图7.创建一个I
BIAS
路径
牧师PRA |第11页16
