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ADC081500
绝对最大额定值
(注1,2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
A
, V
DR
)
供应差异
V
DR
- V
A
在任何输入引脚电压
(除V
IN
+, V
IN
-)
在V电压
IN
+, V
IN
-
(保持共模)
地区别
| GND - DR GND |
在任何引脚输入电流(注3 )
包输入电流(注3)
在T功耗
A
85°C
ESD易感性(注4 )
人体模型
机器型号
焊接温度,红外,
10秒(注5 ) , (适用
标准的镀金包只)
储存温度
2.2V
0V至100毫伏
-0.15V到(Ⅴ
A
+0.15V)
-0.15V至2.5V
0V至100毫伏
± 25毫安
-50毫安
2.0 W
2500V
250V
工作额定值
环境温度范围
(注1,2 )
40°C
T
A
+85°C
+ 1.8V至+ 2.0V
+ 1.8V至V
A
V
CMO
±50mV
0V至2.15V
( 100 %占空比)
0V至2.5V
(10 %占空比)
0V
0V至V
A
0.4V
P-P
至2.0V
P-P
θ
JC (顶
包)
电源电压(V
A
)
驱动器电源电压(V
DR
)
模拟输入共模电压
V
IN
+, V
IN
- 电压范围
(保持共模)
地区别
( | GND - DR GND | )
CLK引脚电压范围
CLK差幅
封装热阻
128-Lead
裸露焊盘
LQFP
θ
JA
26C / W
θ
J- PAD
(散热焊盘)
10°C / W
2.8C / W
235°C
-65 ° C至+ 150°C
图13Soldering过程中必须遵守国家
安森美半导体的回流温度曲线规范。
请参阅www.national.com/packaging.Figure 13
(注5 )
转换器电气特性
以下规格校准V后申请
A
= V
DR
= +1.9V
DC
, OUTV = 1.9V ,V
IN
(交流耦合)满量程=
差分870mV
P-P
, C
L
= 10 pF的,差(AC耦合)正弦波输入时钟,女
CLK
= 1.5 GHz的在0.5V
P-P
以50%的占空比,
V
BG
=浮动,正常控制模式,单倍数据速率模式下,R
EXT
= 3300 ±0.1%,
模拟信号源阻抗= 100Ω
差。
黑体字限额适用于对于T
A
= T
给T
最大
。所有其他限制牛逼
A
= 25℃ ,除非另有说明。 (注6,7)
符号
参数
条件
典型
(注8)
范围
(注8)
单位
(限量)
静态转换器特性
INL
DNL
积分非线性(最佳拟合)
微分非线性
分辨率,无失
代码
V
关闭
V
关闭
φADJ
PFSE
NFSE
FS_ADJ
FPBW
B.E.R.
偏移误差
输入偏移调整范围
正满量程误差
负满量程误差
满量程调整范围
全功率带宽
误码率
增益平坦度
ENOB
SINAD
有效位数
信号与噪声失真
直流到500兆赫
直流到1 GHz
f
IN
= 373兆赫,V
IN
= FSR - 0.5分贝
f
IN
= 748兆赫,V
IN
= FSR - 0.5分贝
f
IN
= 373兆赫,V
IN
= FSR - 0.5分贝
f
IN
= 748兆赫,V
IN
= FSR - 0.5分贝
扩展控制模式
(注9 )
(注9 )
扩展控制模式
-0.45
±45
0.6
1.31
±20
1.7
10
-18
±0.5
±1.0
7.4
7.3
46.3
45.4
43.9
7.0
±25
±25
±15
直流耦合, 1MHz的正弦波过
不等
直流耦合, 1MHz的正弦波过
不等
±0.3
±0.15
±0.9
±0.6
8
1.5
1.0
LSB (最大值)
LSB (最大值)
的LSB (最小)
LSB (最大值)
mV
毫伏(最大)
毫伏(最大)
% FS
GHz的
错误/样片
dBFS的
dBFS的
位(分钟)
位(分钟)
分贝(分钟)
分贝(分钟)
动态转换器特性
7
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