HT23C040H
CMOS 512K'8位高速掩膜ROM
特点
·
工作电压： 2.7V 5.5V
·
低功耗
-
操作： 25毫安最大。 （V
CC
=5V)
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掩膜ROM 512K'8位
·
面膜选择：芯片使能CE / CE和输出使能
OE / OE / NC
·
TTL兼容的输入和输出
·
三态输出
·
全静态操作
·
32引脚DIP / SOP封装
最大10mA 。 （V
CC
=3V)
-
待机： 60毫安最大。 （V
CC
=5V)
20mA的最大。 （V
CC
=3V)
·
访问时间：最大为90ns 。 （V
CC
=5V)
250ns的最大。 （V
CC
=3V)
概述
该HT23C040H是一个只读存储器具有高性
formance CMOS存储设备的MEM- 4096K的
储器由8位设置成512K字。
对于应用程序的灵活性，芯片使能和输出恩
能控制引脚可以选择为高有效或
低。这种灵活性不仅可轻松实现与
大多数微处理器，而且还消除了总线conten-
化的多总线的微处理器系统。一个附加
在HT23C040H的tional特点是它进入的能力
待机模式下，每当芯片使能（ CE / CE ）是IN-
活性，从而减少电流消耗至低于
60毫安。这些功能的组合使
芯片适用于高密度低功耗内存应用程序
阳离子。
框图
P重新-c小时的RG é C k的牛逼
A 0
X Y
P重新-d权证 D E
一个D D重新S S小
B ü FFE RS
A 1 8
一件T
X -D权证
-D权证
P ü 11- IG 景N M 2 O 4 S
R 0 M C ê LL
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( 5 1 2 K
8 - B公司）
-D权证
- 发E乐于r
发E 发E A M P lifie R 5
权证/权证
E / O E / N
M ü X
（C T） R L
L的TC
M ü X
ü ü TP T B ü FFE RS
V S S小
V C C
D 0
D 7
1.00版
1
2002年8月15日
