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IS61C64B
写周期NO 。 2 （ CE1 ， CE2控制）
(1,2)
t
WC
ISSI
t
SA
t
SCE
t
HA
地址
1
t
AW
t
PWE
CE
2
t
LZWE
高-Z
WE
t
HZWE
3
4
5
6
7
D
OUT
数据中，未定义
t
SD
t
HD
D
IN
DATA-内有效
注意事项：
1.内部写入时间是由重叠定义
CE
低，
WE
低。所有信号必须在有效状态开始写，
但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考的上升或下降
该终止写信号的边沿。
2. I / O将承担高阻状态，如果
OE
= V
IH
.
订购信息
商业范围：0 ° C至+ 70°C
速度快（纳秒）
10
订购编号
IS61C64B-10N
IS61C64B-10J
IS61C64B-10T
IS61C64B-12N
IS61C64B-12J
IS61C64B-12T
IS61C64B-15N
IS61C64B-15J
IS61C64B-15T
包
300密耳塑料DIP
300万塑SOJ
塑料TSOP
300密耳塑料DIP
300万塑SOJ
塑料TSOP
300密耳塑料DIP
300万塑SOJ
塑料TSOP
8
9
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12
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15
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
版本C
07/17/01
7
