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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
内部程序操作开始
T
BP
地址
MS-0
5555
T
AH
T
CP
CE＃
T
AS
OE ＃
T
CH
WE＃
T
CS
DQ
7-0
AA
SW0
注意：
55
SW1
A0
SW2
数据
字节
（地址/数据）
T
CPH
T
DS
2AAA
5555
ADDR
T
DH
1150 F05.0
A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
对于SST39LF / VF512 ，A
16
对于SST39LF / VF010 ，
A
17
对于SST39LF / VF020和A
18
对于SST39LF / VF040
图8 ： CE ＃控制程序周期时序图
地址
MS-0
TCE
CE＃
TOEH
OE ＃
TOE
WE＃
脚趾
DQ
7
注意：
D
D#
D#
D
1150 F06.0
A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
对于SST39LF / VF512 ，A
16
对于SST39LF / VF010 ，
A
17
对于SST39LF / VF020和A
18
对于SST39LF / VF040
图9 ：数据＃查询时序图
2010硅存储技术公司
S71150-14-000
01/10
11
