LM26003
陶瓷输入电容必须连接尽可能接近
可以将AVIN销以及PVIN销。电容器
AVIN和地面之间应接地靠近
该LM26003和PVIN电容的GND引脚应
接地接近肖特基二极管地面。通常， AVIN
旁路电容是最容易位于底侧
在PCB上。它增加了走线电感，由于通孔，它重新
然而duces走线长度。
上述布局建议在如下图所示
图11 。
所述电感器和开关节点。请参阅应用笔记AN- 1229
了解有关用于开关稳压PCB布局的详细信息
ulators 。
散热考虑和TSD
虽然LM26003有一个内置的电流限制，在环境
温度高于80℃时，元件温度上升可能限制
实际的最大负载电流。因此，温度升高
必须加以考虑，以确定最大
允许的负载电流。
温度上升是对功耗的函数内
该设备。下列公式可用于计算
功耗（ PD ）和温度上升，其中总PD
是场效应管开关损耗， FET DC损耗，驱动器的总和
损失，智商和VBIAS损失：
PD
总
= PSW
AC
+ PSW
DC
+ PQG + P
Iq
+ P
VBIAS
PSW
DC
= D X的Iload
2
×（ 0.095 + 0.00065 X （T
j
- 25))
P
QG
= Vin的X 9.2 X 10
-9
X FSW
P
Iq
= Vin的X Iq的
P
VBIAS
= V偏压×1
VBIAS
鉴于这种总功耗，结温
计算方法如下：
TJ = TA + （ PD
总
x
θ
JA
)
哪里
θ
JA
= 32 ℃/ W（典型值）采用多层电路板时，
用大铜面面积。
θ
JA
随板型和
金属化区域。
要计算最大允许功耗， AS-i
庙TJ = 125°C 。为确保结温
不超过125℃的最大工作额定功率
耗散应在预期的最大核实OP-
展业务的频率，最大环境温度，和采矿
imum和最大输入电压。计算出的最大
负载电流是基于连续的操作，并且可以是
在瞬态条件下超标。
如果功耗保持高于最大允许
能水平，设备的温度将继续上升。当
结温度超过其最大值，则LM26003烯
计过热关机（ TSD ） 。在TSD的部分保持
处于关机状态，直到结温度下降到与 -
在正常操作极限。在这一点上，该设备在重新启动
软启动模式。
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图11.示例的PCB布局
这是一个很好的做法，连接EP ， GND引脚，小
信号分量（ COMP ， FB ，频率），以单独的接地
面，在所示
图11
如EP GND ，并且在原理图
作为信号接地符号。无论是裸露焊盘和
GND引脚必须接地。这种飞机更安静
应连接到高电流接地平面在一个
安静的位置，最好是接近Vout的地面如图
中的虚线
图11 。
对EP GND层应尽可能地大，
因为它也可用于热耗散。多个通孔，可以
直接放置在EP下面，以增加热量流动到其他
当它们是可用的层。通孔的推荐
直径为0.3mm。
跟踪从FB引脚的电阻分压器应
短，整个反馈跟踪必须远离
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