LMV641
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
结温（注3 ）
焊接信息
+150°C
235°C
260°C
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度（ 10秒）
人体模型
机器型号
差分输入V
ID
电源电压（V
S
= V
+
- V
)
输入/输出引脚电压
存储温度范围
2000V
200V
±0.3V
13.2V
V
+
+0.3V, V
0.3V
-65 ° C至+ 150°C
工作额定值
温度范围（注3 ）
电源电压（V
S
= V
+
- V
)
（注1 ）
-40_C到125_C
2.7V至12V
456°C/W
166°C/W
封装热阻（ θ
JA
） （注3）
5引脚SC70
8引脚SOIC
2.7V DC电气特性
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 2.7V, V
= 0V, V
O
= V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
> 1 MΩ 。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比0V
≤
V
CM
≤
1.7V
电源抑制比
2.7V
≤
V
+
≤
10V, V
CM
= 0.5
2.7V
≤
V
+
≤
12V, V
CM
= 0.5
CMVR
A
VOL
输入共模电压
范围
大信号电压增益
CMRR
≥
80分贝
89
84
94.5
92.5
94
92
0
82
78
86
82
88
dB
（注6 ）
条件
民
（注5 ）
典型值
（注4 ）
30
0.1
75
0.9
114
105
100
1.8
dB
95
110
5
最大
（注5 ）
500
750
单位
V
μV/°C
nA
nA
dB
V
CMRR
≥
68分贝
0.3V
≤
V
O
≤
2.4V ，R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.4V
≤
V
O
≤
2.3V ，R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
0.3V
≤
V
O
≤
2.4V ，R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2, V
IN
= 100 mV的
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2, V
IN
= 100 mV的
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2, V
IN
= 100 mV的
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2, V
IN
= 100 mV的
I
OUT
I
S
SR
GBW
e
n
采购和漏极输出
当前
电源电流
压摆率
增益带宽积
输入参考电压噪声
F = 1千赫
A
V
= +1, V
O
= 1 V
PP
V
IN_DIFF
= 100 mV至
V
O
= V
+
/ 2 （注7 ）
采购
下沉
98
0.4V
≤
V
O
≤
2.3V ，R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
42
22
38
18
22
25
138
58
68
35
40
48
58
30
35
mA
170
220
μA
V / μs的
兆赫
内华达州/
从毫伏
轨
上升（10％至90％）
落（90％至10％）
2.3
1.6
10
14
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2
