
LMV641
在该电路中,使用一个9伏的碱性电池的利用了
LMV641的高电压和低电源电流为低pow-
呃,便携式电流感测应用。传感器转换
入射磁场(通过磁链)中
敏感的方向上,以平衡电压输出。该
LMV641可用于中度到高电流传感
使用的应用程序(从几毫安和高达20A )
附近的外导体提供了感知磁场
字段的桥梁。该电路显示了霍尼韦尔HMC1051Z
用作电流传感器。注意,该电路必须频率标
校准基于所感测到的CON-的最终位移
相对于测量桥导体。通常,一旦
传感器被导向正确,就表明,Con
导体进行测量时,所述导体可以放置约
1厘米远离桥梁,并有合理的
从几十毫安测量到超出能力
20安培。
In
图4中,
U1被配置为一个单一的差分上午
plifier 。它的输入阻抗是相当低的,但是,并
要求传感器的源阻抗是consid-
ERED的增益计算。此外,非对称的载荷
上桥将产生一个小的偏置电压,可以是
取消了与在所示的偏移调整电路
图4中。
图5
示出了一个典型的磁致电阻的惠斯通电桥
和戴维南等效其电阻元件。正如我们
应当看到,在传感器的戴维南等效模型
在计算所需的差分扩增增益有用
费里。
使用戴维南定理,桥可以减少到两个
电压源的串联电阻。
ΔR
通常非常
小相比, R,因此戴维南等效重
sistance ,通常称为源极电阻,可
取为R.当偏置电压V的施加
EXC
与地之间,在无磁场中,所有的重
sistances被视为相等。在SIG +和SIG的电压
- 是成功的一半V
EXC
或4.5V ,和SIG + - 显= 0桥是否变形
签名,使得当浸入磁场中,沿相反
网站电阻由± ΔR桥的变化与量
正比于磁场的强度。这将导致
电桥的输出电压差,从它的一半更改
V
EXC
值。因此, SIG + - 显= Vsig的
≠
0拥有四个活动
元件时,输出电压为:
自
ΔR
是正比于电场强度,乙
S
,量
从传感器输出的电压的是传感器的一个函数森
敏度,
S.
这
表达
可以
改写
as
V
SIG
= V
EXC
·S ·B
S
,其中,
S =材料常数(通常为1 mV / V /高斯)
B
S
=磁通量在高斯
单运算放大器,差分扩增的简化原理图
费里示于
图6 。
的戴维南等效电路
该传感器可被用于计算该放大器的增益。
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图6.差分输入放大器
霍尼韦尔HMC1051Z AMR传感器的标称为1kΩ
元素和为1 mV / V /高斯的灵敏度和正被使用
与励磁用的满量程磁场范围9V
± 6高斯。在满量程时,电阻器将具有
ΔR
≈
12
和
108毫伏将由显看出西格+ (参考
图7)。
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图5.各向异性磁阻惠斯登电
桥传感器, (一) ,和戴维南等效电路, (B )
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