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恩智浦半导体
LPC2101/02/03
单芯片16位/ 32位微控制器
表5 。
静态特性
- 续
T
AMB
=
40
°
C至+ 85
°
下商业应用，除非另有规定ED 。
符号
I
pu
参数
上拉电流
条件
V
I
= 0 V
V
DD(3V3)
＆ LT ; V
I
< 5 V
[12]
I
DD （ CORE）
核心供电电流
主动模式;
CODE
[13]
民
15
0
典型值
[1]
50
0
最大
85
0
单位
A
A
while(1){}
来自佛罗里达州灰执行;所有外设
通过PCONP寄存器，但没有启用
CON连接gured运行; CCLK = 70 MHz的
V
DD(1V8)
= 1.8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
掉电模式;
V
DD(1V8)
= 1.8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD(1V8)
= 1.8 V ;牛逼
AMB
= 85
°C
深度掉电模式;
RTC关闭; SRAM关闭;牛逼
AMB
= 25
°C
V
我（ VBAT ）
= 3.3 V; V
DD(1V8)
= 1.8 V
I
BAT
电池供电
当前
主动模式;
CCLK = 70 MHz的;
PCLK = 17.5兆赫;
PCLK启用RTCK ;
RTC时钟= 32千赫（从RTCX
引脚） ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD(1V8)
= 1.8 V; V
我（ VBAT ）
= 3.0 V
掉电模式;
RTC时钟= 32千赫
（来自RTCX引脚） ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD(1V8)
= 1.8 V; V
我（ VBAT ）
= 2.5 V
V
DD(1V8)
= 1.8 V; V
我（ VBAT ）
= 3.0 V
深度掉电模式;
RTC关闭; SRAM关闭;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD(1V8)
= 1.8 V; V
我（ VBAT ）
= 3.0 V
I
2
C总线引脚
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
I
LI
高级别输入
电压
低电平输入
电压
滞后电压
低电平输出
电压
输入漏
当前
I
OLS
= 3毫安
V
I
= V
DD(3V3)
V
I
= 5 V
[15]
[10]
-
-
-
41
2.5
35
70
25
105
mA
A
A
-
0.7
-
A
[14]
-
10
15
A
-
-
7
8
12
12
A
A
-
0.7V
DD(3V3)
-
-
-
-
-
0
8
-
-
-
-
A
V
0.3V
DD(3V3)
V
V
V
A
A
V
0.5V
DD(3V3)
-
-
2
10
-
0.4
4
22
1.8
振荡器引脚
V
i(XTAL1)
引脚的输入电压
XTAL1
LPC2101_02_03_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年6月2日
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