2SK3757
r
th
– t
w
3
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
1
税
=
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03
t
0.01
0.01
单脉冲
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
4.17°C/W
0.003
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
PDM
脉冲宽度t
w
(S)
安全工作区
10
200
ID MAX（脉冲）
*
100
μs
*
3
ID MAX（连续）
1毫秒
*
E
AS
– T
ch
雪崩能量EAS （兆焦耳）
160
漏极电流ID （ A）
120
1
80
0.3
直流操作
Tc
=
25°C
40
0.1
0
25
50
75
100
125
150
通道温度（初始）
0.03
*
单脉冲NONPETITIVE
Tc
=
25°C
曲线必须线性VDSS最大降额
温度上升
0.01
1
10
100
1000
T
ch
(°C)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
漏源电压V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
42.8毫亨
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDSS
VDD
5
2009-09-29
