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H5N2501LD ， H5N2501LS ， H5N2501LM
典型的电容比。
漏源极电压
初步
动态输入特性（典型）
漏极至源极电压V
DS
(V)
TA = 25°C
I
D
= 18 A
TA = 25
°C
V
GS
西塞
1000
300
V
DS
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
12
200
8
100
科斯
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
0
20
40
60
80
4
10
0
40
60
80
100
0
20
0
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷Qg （ NC ）
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
50
5
门源截止电压
与外壳温度（典型）
V
DS
= 10 V
4
I
D
= 10毫安
1毫安
3
0.1毫安
反向漏电流I
DR
(A)
30
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
V
GS
= 0
TA = 25°C
40脉冲测试
20
2
10
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
0
25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
R07DS0056EJ0300 Rev.3.00
2010年7月23日
第4 7
栅极至源极电压V
GS
(V)
10000
400
16
电容C （PF ）
