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PD - 96192A
PDP TRENCH IGBT
特点
l
先进的沟道IGBT技术
l
优化延和能量回收
在PDP的应用电路
TM
)
l
低V
CE （ON）的
每脉冲能量（E
脉冲
为提高板效率
l
高重复峰值电流能力
l
无铅封装
IRG6I330UPbF
主要参数
330
1.30
250
150
V
V
A
°C
V
CE
民
V
CE （ON）的
典型值。 @我
C
= 28A
I
RP
最大@ T
C
= 25°C
T
J
最大
C
G
E
E
C
G
N沟道
G
门
C
集热器
TO-220AB
FULL- PAK
E
辐射源
描述
这种IGBT是专门为等离子显示面板的应用而设计。该器件采用先进的
沟道型IGBT技术，实现了低V
CE （ON）的
和低辐射
PULSETM
每硅片面积的评价而改善面板
效率。附加功能是150 ° C的工作结温，高重复峰值电流
能力。这些特性相结合，使该IGBT高效，强大和可靠的设备，用于PDP
应用程序。
绝对最大额定值
参数
V
GE
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
RP
@ T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
门极 - 发射极电压
连续集电极电流，V
GE
@ 15V
连续集电极，V
GE
@ 15V
重复峰值电流
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
±30
28
15
250
43
17
0.34
-40 + 150
300
单位
V
A
c
W
W / ℃，
°C
10磅在（ 1.1N M）
x
x
N
热阻
R
θJC
结到外壳
d
参数
典型值。
–––
马克斯。
2.9
单位
° C / W
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09/11/09
