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LM3671
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图8.典型PFM操作
在PFM操作，转换位置输出电压
年龄在比额定输出电压略高
PWM工作模式，允许更多的扩展空间电压
期间，由轻负载瞬态重负载下降。在PFM
通过比较反馈引脚检测输出电压
并控制输出FET ，使得所述的开关
之间 0.6 ％和 1.7 ％，高于输出电压斜坡
标称的PWM输出电压。当输出电压低于
'高'的PFM比较器阈值时，PMOS电源开关
被接通。它仍保持在直到输出电压达到
“高”的PFM阈值或峰值电流超过我
PFM
为PFM模式水平集。典型的峰值电流PFM模式
是：我
PFM
= 112毫安+ V
IN
/27 .
一旦PMOS功率开关被关断时，NMOS功率
开关被接通，直到电感电流为零。
当检测到所述NMOS零电流条件下，该
NMOS功率开关被关断。如果输出电压是BE-
低'高' PFM比较器阈值（见
图9） ，
该
PMOS开关再次接通并重复该循环
直到输出达到所要求的水平。一旦输出
达到“高”的PFM阈值时，NMOS开关接通
上简要坡道电感电流为零，那么这两个
输出开关被关断，一部分进入一个EX-
tremely低功率模式。在此静态电源电流
“睡眠”模式为16μA （典型值） ，这使得该器件实现
极轻负载条件下的效率高。
如果负载电流应在PFM模式下增加（见
图9）
导致输出电压下降到低于所述' LOW2 '
PFM门槛，部分将自动转换成固定
频率PWM模式。当V
IN
= 2.7V的一部分转换
从PWM至PFM模式下 35毫安输出电流，并从
PFM与PWM模式下 85毫安，当V
IN
= 3.6V ， PWM到PFM
转变发生在 50毫安和PFM与PWM转换
发生在 100mA时当V
IN
= 4.5V ， PWM到PFM转换
发生在 65毫安PFM和PWM来转变发生在
~115mA.
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图9.运行在PFM模式，并转移到PWM模式
关断模式
设置EN输入引脚为低电平（ <0.4V ）放置在LM3671
关断模式。在关断期间的PFET开关， NFET
开关，参考，控制和LM3671的偏置电路是
关闭。设置EN为高电平（ >1.0V ）能够进行正常操作。
建议设置EN引脚为低电平关闭LM3671
在系统上电和欠压条件时，
所述电源电压低于2.7V 。不要将EN引脚悬空。
软启动
LM3671芯片具有限制浪涌电流的软启动电路
在启动过程中。在启动过程中的开关电流限制为IN-
有折痕的步骤。如果EN的推移，从软启动才能被激活
逻辑低到逻辑高后输入电压达到2.7V 。软启动是im-
通过增加步70毫安的开关电流限制执行完成，
140毫安， 280毫安和1020毫安（典型开关电流限制） 。该
启动时间，从而依赖于输出电容和
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