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ESMT
< RL = 4（ AL = 0; CL = 4）; BL = 8 >
T0
CLK
CLK
CMD
中科院发布
写一个
M14D5121632A
工作温度条件（T
C
) -40
°
C~95
°
C
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
NOP
NOP
NOP
Precharg一
NOP
> = T
RP
NOP
银行
活跃
AL + 2 CLKS + MAX （T
RTP
;2)
DQS ， DQS
AL = 0
的DQ
CL = 4
RL = 4
DoutA0 DoutA1 DoutA2 DoutA3 DoutA4 DoutA5 DoutA6 DoutA7
＆ GT ; = T
RAS
突发写其次是预充电
最低写入预充电命令间隔为同一家银行= WL + BL / 2个时钟+ T
WR
.
对于写周期，延迟必须从完成最后一个脉冲串写入周期的满足，直到预充电命令可以是
发行。此延迟被称为写入恢复时间（t
WR
从完成突发）引用写入预充电
命令。无预充电命令之前，应先在T发出
WR
延时。
< WL = （RL -1） = 3; BL = 4>
T0
CLK
CLK
CMD
中科院发布
写一个
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
> = T
WR
NOP
Precharg一
DQS ， DQS
WL = 3
的DQ
DinA0
DinA1 DinA2
DinA3
< WL = （RL -1） = 4; BL = 4 >
T0
CLK
CLK
CMD
中科院发布
写一个
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T9
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
> = T
WR
Precharg一
DQS ， DQS
WL = 4
的DQ
DinA0
DinA1 DinA2
DinA3
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
43/59
