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ESMT
参数
至预充电命令
主动对主动命令
（同一银行）
自动刷新行周期时间
主动读，写延时
预充电命令期
活跃银行A到有效的银行B
命令
写恢复时间
在数据写入读取命令
延迟
上校地址上校地址
延迟
主动到自动预充电延迟
平均周期刷新
区间（ -40
℃ ≦T
C
≦ +85
℃
)
平均周期刷新
间隔时间（ + 85 ℃
＜T
C
≦ +95℃)
写序言
写后同步
DQS读序言
DQS阅读后同步
加载模式寄存器/扩展
模式寄存器周期时间
自动预充电写恢复
+预充电时间
内部读取到预充电
命令延迟
退出自刷新阅读
命令
退出自刷新非读
命令
退出预充电掉电
任何非读命令
主动退出掉电
读命令
主动退出掉电阅读
命令
（慢退出/低功率模式）
CKE最小脉冲宽度
（高和低脉冲宽度）
t
CKE
3
-
t
CK
符号
t
RAS
t
RC
t
RFC
t
RCD
t
RP
t
RRD
t
WR
t
WTR
t
CCD
t
RAP
t
REFI
-3
分钟。
45
60
105
15
15
7.5
15
7.5
2
t
RCD
（分）
-
马克斯。
70K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
ns
us
记
M14D5121632A
工作温度条件（T
C
) -40
°
C~95
°
C
t
REFI
t
WPRE
t
WPST
t
RPRE
t
RPST
t
MRD
t
DAL
t
RTP
t
XSRD
t
XSNR
t
XP
t
XARD
-
0.35
0.4
0.9
0.4
2
WR + RU （T
WR
/ t
CK
)
+(t
RP
/ t
CK
（ AVG）
)
7.5
200
t
RFC
+ 10
2
2
3.9
-
0.6
1.1
0.6
-
-
-
-
-
-
-
us
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
（ AVG）
t
CK
t
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
t
CK
3
1
11
12
t
XARDS
7 - AL
-
t
CK
2,3
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年2月
修订： 1.1
12/59
