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小时运营
M48T35 ， M48T35Y
3.6
V
CC
噪声及瞬变负向
I
CC
瞬变，包括那些由输出开关产生的，可产生电压
的波动，从而导致在V尖峰
CC
总线。这些瞬变的话可以减少
电容器被用于存储能量用于稳定在V
CC
总线。存储在所述能量
由于产生的低电平电压尖峰或能量将旁路电容将被释放
时过冲发生吸收。 0.1 μF的旁路电容（如图
图10）
建议，以提供所需要的滤波。
除了瞬变是由正常的SRAM操作引起的，功率循环会
生成V的负电压尖峰
CC
驱动它以低于V值
SS
之多
一伏特。这些消极的尖峰可能会导致数据损坏的SRAM ，而在电池
备份模式。从这些电压尖峰来保护，建议以连接
从V肖特基二极管
CC
到V
SS
（阴极连接到V
CC
，阳极V
SS
） 。肖特基二极管
1N5817推荐用于通孔和MBRS120T3推荐用于表面
坐骑。
图10.电源电压保护
VCC
VCC
0.1F
设备
V
SS
AI02169
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文档编号2611第9版
