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新产品
M6035P通M6060P
威世通用半导体
16
14
M6060P
D = 0.3
D = 1.0
D = 0.2
D = 0.1
6
T
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
100
正向电流（A ）
D = 0.8
D = 0.5
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
平均功耗（ W）
12
10
8
10
1
T
J
= 25 °C
M6060P
D =吨
p
/T
t
p
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
平均正向电流（ A）
正向
电压
(V)
图3.正向功率损耗特性每二极管
图6.典型的正向特性每二极管
400
1000
瞬时反向电流（mA ）
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 125 °C
10
M6035P & M6045P
1
300
200
0.1
T
J
= 25 °C
100
1
10
100
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
数
环，在60赫兹的
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.最大非重复性峰值正向浪涌
目前每二极管
图7.典型的反向特性每二极管
100
1000
瞬时反向电流（mA ）
正向电流（A ）
T
J
= 150 °C
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 125 °C
M6060P
1
10
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 25 °C
1
0.1
M6035P & M6045P
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T
J
= 25 °C
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向
电压
(V)
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图5.典型的正向特性每二极管
图8.典型的反向特性每二极管
文档编号： 88980
修订： 19 08年5月
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