M34E02 ， M34E02 -F
表18 。
日期
修订历史
文档修订历史（续）
调整
变化
数据表标题和
第1页功能
改性：该装置可用于
与DDR1和DDR2 DRAM配置。
增加温度范围6 ，工作电压范围V
CC
延长
器件的温度范围6.我
OL
加入和T
A
修改
表7：
绝对最大额定值。
I
LO
, I
CC
和V
IL
修改
表13 ：直流特性（温度
6范围内的设备） 。表14 ： AC特性
补充说。
表13 ：直流
特性（温度范围6台设备）
修改。
图13 ： AC
波形
修改。
图4：最大R
P
值与总线的寄生电容（C）为一个
I
2
C总线
更新。注意下面的删除
图11 ：串行存在检测
框图。
更新UFDFPN8包装规格（请参阅
表15： UFDFPN8
（ MLP8 ） 8引脚超薄细间距双扁平封装无铅2 ×3毫米，
数据）。
空白的选项下的电镀技术在去除
表17 ：订购
信息方案。
小文的变化。
第2.5.2节：电条件
和
第2.5.3节：设备复位
更新。
图4：最大R
P
值与母线寄生电容
（ C）为我
2
C总线
修改。
t
NS
修改
表11 ：输入参数。
I
CC
和V
IL
在扩展测试条件
表12： DC特性（对于
温度范围1设备） 。
测试条件更新中
表12 ：直流特性（温度
1范围的设备）
和
表13 ：直流特性（温度范围
6设备）
更新
图14 ： UFDFPN8 （ MLP8 ） 8引脚超薄细间距双平
包装不含铅2 ×3毫米，外形
和
表15： UFDFPN8 （ MLP8 ） 8-
铅超薄细间距双扁平封装无铅2 ×3毫米，数据
新增M34E02 -F零件号。
增加了环境温度与功耗的应用
表7 ：绝对
最大额定值。
我更新
CC1
在条件
表12 ：直流特性（温度
1范围的设备） 。
额外
注4
对于T
CLQV
in
表14 ： AC特性。
更新
图13 ： AC波形。
t
CHDX
用t代替
CHDL
in
图13 ： AC波形。
改性MC封装外形
图14 ： UFDFPN8 （ MLP8 ） 8引脚超
超薄细间距双扁平封装无铅2 ×3毫米，外形。
18-Mar-2009
7
25-Sep-2009
8
01-Apr-2010
9
23-Jul-2010
10
文档ID 10367牧师10
33/34
