IRF9Z34S ， SiHF9Z34S ， IRF9Z34L ， SiHF9Z34L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
34
9.9
16
单身
- 60
0.14
特点
先进的工艺技术
表面贴装（ IRF9Z34S / SiHF9Z34S ）
175 ° C的工作温度
快速开关
P沟道
全额定雪崩
铅（Pb） ，免费提供
S
可用的
小尺寸通孔（ IRSiHF9Z34L / SiHF9Z34L ）
RoHS指令*
柔顺
描述
I
2
PAK （ TO- 262 ）
D
2
PAK
(TO-263)
G
G
D
S
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRSiHF9Z34L / SiHF9Z34L ）是
适用于薄型应用。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF9Z34SPbF
SiHF9Z34S-E3
IRF9Z34S
SiHF9Z34S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF9Z34STRLPbF
a
SiHF9Z34STL-E3
a
IRF9Z34STRL
a
SiHF9Z34STL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF9Z34STRRPbF
a
SiHF9Z34STR-E3
a
IRF9Z34STRR
a
SiHF9Z34STR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF9Z34LPbF
SiHF9Z34L-E3
IRF9Z34L
SiHF9Z34L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
A，E
线性降额因子
单脉冲雪崩
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91093
S-挂起-REV 。 A， 03军， 08
www.vishay.com
1
能源
B，E
E
AS
I
AR
E
AR
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 60
± 20
- 18
- 13
- 72
0.59
370
- 18
8.8
W / ℃，
mJ
A
mJ
A
单位
V
WORK -IN -PROGRESS
