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页面修订(见手册详细)
图修正
ROM : 512字节
RAM : 32字节
模式4
(带扩展模式
片上ROM启用)
H'000000
H'000000
ROM : 512字节
RAM : 32字节
模式5
(用户引导模式)
ROM : 512字节
RAM : 32字节
模式7
(单芯片激活
扩展模式,
带有片上ROM启用)
H'000000
3.4存储器映射中的每个64
经营模式
图3.2 H8S / 2368F
内存映射( 2 )
片上ROM
片上ROM
片上ROM
H'080000
H'080000
H'080000
外部地址
空间
外部地址
空间/
保留区*
2
*
4
外部地址
空间/
保留区*
2
*
4
H'FF4000
片上RAM /
外部地址
空间*
1
H'FFC000
保留区
*
4
H'FF4000
片上RAM
*
5
H'FFC000
保留区
*
4
H'FF4000
片上RAM /
外部地址
空间
*
3
保留区
*
4
H'FFD000
外部地址空间/
保留区
*
2
*
4
H'FFFC00
内部I / O寄存器
H'FFFF00
外部地址空间/
保留区
*
2
*
4
H'FFFF20
内部I / O寄存器
H'FFFFFF
H'FFC000
H'FFD000
外部地址空间
H'FFFC00
H'FFFF00
H'FFFF20
H'FFFFFF
内部I / O寄存器
外部地址空间
H'FFD000
外部地址空间/
保留区
*
2
*
4
H'FFFC00
内部I / O寄存器
H'FFFF00
外部地址空间/
保留区
*
2
*
4
H'FFFF20
内部I / O寄存器
H'FFFFFF
内部I / O寄存器
注意事项: 1,此区域被清零SYSCR的RAME位为0指定为外部地址空间。
2.当EXPE = 1时,外部地址空间;当EXPE = 0时,保留区。
3.当EXPE = 1,用RAME外部地址空间= 0 ,片上RAM与RAME = 1 。
当EXPE = 0 ,片上RAM 。
4.保留区不应该访问。
5.片上RAM用于编程的闪存。 SYSCR中的RAME位不应该被清0 。
Rev.6.00 2009年3月18日第viii页的LVIII
REJ09B0050-0600

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