飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF7S15100H

第2版， 2009年6月

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

专为CDMA基站应用的频率从1470到

1510兆赫。可以用在AB类和C类的所有典型的蜂窝基站

站调制。

典型的单 - 载波W - CDMA性能： V

DD

= 28伏，我

DQ

=

600毫安，P

OUT

= 23瓦的魅力。 ， F = 1507.5兆赫， IQ幅度裁剪，

信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％

概率上的CCDF 。

功率增益 - 19.5分贝

漏极效率 - 32 ％

仪输出信号的PAR - 6.2分贝@ CCDF上0.01 ％的概率

ACPR @ 5 MHz偏移 - - 38 dBc的在3.84 MHz信道带宽

能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 1490兆赫， 100瓦CW

输出功率

典型的P

OUT

@ 1 dB压缩点

'

100瓦CW

特点

100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

内部匹配的易用性

集成ESD保护

更大的负栅 - 源电压范围为改良C级

手术

优化的Doherty应用

符合RoHS

在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。

MRF7S15100HR3

MRF7S15100HSR3

1470年至1510年兆赫， 23瓦AVG ， 28 V 。

单W - CDMA

横向N - CHANNEL

RF功率MOSFET

CASE 465 - 06 ，风格1

NI - 780

MRF7S1500HR3

CASE 465A - 06 ，风格1

NI - 780S

MRF7S1500HSR3

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

工作电压

存储温度范围

情况下的工作温度

工作结温

(1,2)

CW操作@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

符号

V

DSS

V

GS

V

DD

T

英镑

T

C

T

J

CW

价值

- 0.5, +65

- 6.0, +10

32, +0

- 65 + 150

150

225

75

0.36

单位

VDC

VDC

VDC

°C

°C

°C

W

W / ℃，

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

外壳温度80 ° C， 55瓦CW

外壳温度77 ° C， 23瓦CW

符号

R

θJC

价值

(2,3)

0.65

0.74

单位

° C / W

在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。

2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

3.请参阅AN1955 ，

射频功率放大器的热测量方法。

去http://www.freescale.com/rf 。

选择文档/应用笔记 - AN1955 。

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MRF7S15100HR3 MRF7S15100HSR3

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