GBLA005 THRU GBLA10

威世通用半导体

100

1000

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

正向电流（A ）

10

1

结电容（pF ）

100

0.1

T

J

= 25 °C

脉冲

宽度

= 300

s

1 ％占空比

50 - 400

V

600 - 1000

V

10

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图3.典型正向电压特性每二极管

图5.典型结电容每二极管

1000

100

100

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

100

瞬时反向电流（ μA ）

10

10

50 - 400

V

600 - 1000

V

T

A

= 125 °C

1

1

0.1

T

A

= 25 °C

0.01

0

20

40

60

80

0.1

0.01

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

吨 - 加热时间（s ）

每二极管图4.典型的反向特性

图每二极管6.典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

案例类型GBL

0.125 (3.17) x 45°

倒角

0.825 (20.9)

0.815 (20.7)

0.080 (2.03)

0.060 (1.50)

0.421 (10.7)

0.411 (10.4)

0.095 (2.41)

0.080 (2.03)

0.098 (2.5)

0.075 (1.9)

0.050 (1.27)

0.040 (1.02)

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

0.040 (1.02)

0.030 (0.76)

0.026 (0.66)

0.020 (0.51)

0.098 (2.5)

0.075 (1.9)

0.718 (18.2)

0.682 (17.3)

铅深度

0.022 (0.56)

0.018 (0.46)

0.140 (3.56)

0.128 (3.25)

在案件的正面显示极性，正极引线

斜

角落

文档编号： 88610

修订： 30 -APR- 08

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

3