CYStech电子股份有限公司
P沟道增强型MOSFET
规格。编号： C388N3
发行日期： 2007年6月13日
修订日期： 2008.12.17
页页次： 1/8
MTP3401N3
特点
V
DS
=-30V
R
DS （ ON）
=65m
Ω
@V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-4A
R
DS （ ON）
=120m
Ω
@V
GS
= -2.5V ，我
DS
=-1A
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
低栅电荷
紧凑，薄型SOT- 23封装
无铅&无卤封装
等效电路
MTP3401N3
概要
SOT-23
D
G：门
S：源
D：漏
G
S
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@T
A
=25°C
（注1 ）
连续漏电流@T
A
=70°C
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2 ）
最大功率耗散
线性降额因子
工作结温和存储温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
TJ ， TSTG
范围
-30
±12
-4.2
-3.5
-30
1.38
0.01
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
注： 1.表面安装在1平方英寸的铜垫FR- 4电路板，安装在最小的铜垫，当270 ° C / W 。
2.脉冲宽度有限的最高结温。
MTP3401N3
CYStek产品规格
