恩智浦半导体
74AHC2G32 ; 74AHCT2G32
双路2输入或门
表8 。
动态特性
- 续
GND = 0 V ;测试电路见
图7 。
符号参数
74AHCT2G32
t
pd
传播
延迟
呐， NB到纽约;看
图6
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
PD
动力
每个缓冲区;
耗散
C
L
= 50 pF的; F
i
= 1 MHz的;
电容V
I
= GND到V
CC
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
典型值是在V测量
CC
= 3.3 V.
典型值是在V测量
CC
= 5.0 V.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
[4]
[1]
[3]
条件
民
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
-
-
-
3.3
4.8
17
6.9
7.9
-
1.0
1.0
-
8.0
9.0
-
1.0
1.0
-
9.0
10.0
-
ns
ns
pF
[1]
[2]
[3]
[4]
12.波形
V
I
呐， NB输入
GND
t
PHL
V
OH
纽约输出
V
OL
V
M
mna224
V
M
t
PLH
图6 。
表9 。
TYPE
输入（ NA和NB ）到输出（ NY ）的传播延迟。
测量点
输入
V
M
0.5V
CC
1.5 V
产量
V
M
0.5V
CC
0.5V
CC
74AHC2G32
74AHCT2G32
74AHC_AHCT2G32_2
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牧师02 - 二○○九年一月二十零日
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