SMD型
FZT869
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
I
C
=100ìA
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA
V
（ BR ） EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CB
=50V
V
CB
= 50V ，TA = 100
V
EB
=6V
Testconditons
民
60
25
6
晶体管
典型值
120
35
8
最大
单位
V
V
V
50
1
10
35
67
168
50
110
215
350
1.2
1.13
300
300
200
40
450
450
300
100
100
70
60
680
nA
ìA
nA
集电极 - 发射极饱和电压*
I
C
= 0.5A ，我
B
=10mA
I
C
= 1A ，我
B
=10mA
V
CE（
SAT ）
I
C
= 2A ，我
B
=10mA
I
C
= 6.5A ，我
B
=150mA
V
BE （
SAT ）I
C
= 6.5A ，我
B
=300mA
V
BE （上
) I
C
= 6.5A ，V
CE
=1V
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
= 1A ，V
CE
=1V
I
C
= 7A ，V
CE
=1V
I
C
= 20A ，V
CE
=2V
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V F = 50MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
I
C
= 1A ，V
CC
=10V
I
B1
=I
B2
=100mA
mV
基射极饱和电压*
基射极导通电压*
V
V
直流电流增益*
h
FE
过渡频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
*脉冲测试： TP = 300 ;
0.02.
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
兆赫
pF
ns
ns
记号
记号
FZT869
2
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