SMD型
NPN Silcon的平面中
功率高增益晶体管
FZT692B
SOT-223
晶体管
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
高收益+低饱和电压。
+0.2
6.50
-0.2
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1
2
2.9
4.6
3
+0.1
0.70
-0.1
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j,
T
英镑
等级
70
70
5
2
5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
+0.15
1.65
-0.15
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