EN25LF10
表10. 75MHz的交流特性
(T
a
= - 40 ° C至85°C ; V
CC
= 2.35-3.6V)
符号
F
R
f
R
t
CLH 1
t
CLL1
t
CLCH2
t
CHCl 3 2
t
SLCH
t
CHSH
t
SHCH
t
CHSL
t
SHSL
t
SHQZ 2
t
CLQX
t
DVCH
t
CHDX
t
HLCH
t
HHCH
t
CHHH
t
CHHL
t
HLQZ
t
HHQZ
t
CLQV
t
WHSL3
t
SHWL3
t
DP 2
t
RES1 2
t
RES2 2
t
W
t
PP
t
SE
t
BE
t
CE
2
2
ALT
f
C
参数
串行时钟频率为：
FAST_READ ， PP ， SE ， BE ， DP ， RES ，雷恩，
WRDI ， WRSR
串行时钟频率为READ ， RDSR ， RDID
串行时钟高电平时间
串行时钟低电平时间
串行时钟上升时间（转换率）
串行时钟下降时间（转换率）
民
特区
特区
6
6
0.1
0.1
5
5
5
5
100
典型值
最大
75
33
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
t
CSS
CS ＃智能安装时间
CS ＃活动保持时间
CS ＃不主动设置时间
CS ＃不主动保持时间
t
CSH
t
DIS
t
HO
t
DSU
t
DH
CS ＃高时间
输出禁止时间
输出保持时间
数据建立时间
数据保持时间
HOLD ＃低建立时间（相对于CLK ）
HOLD ＃高的建立时间（相对于CLK ）
HOLD ＃低保持时间（相对于CLK ）
HOLD ＃高保持时间（相对于CLK ）
6
0
2
5
5
5
5
5
6
6
6
20
100
3
3
1.8
10
1.5
0.15
0.8
2
15
5
0.3
2
4
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
ms
ms
s
s
s
t
HZ
t
LZ
t
V
HOLD ＃低到输出高阻态
HOLD ＃高至低阻抗输出
输出有效从CLK
写CS ＃低保护之前建立时间
写保护CS ＃高后保持时间
CS ＃高到深度掉电模式
CS ＃高到待机模式，而不电子
签名读
CS ＃高到待机模式带有电子
签名读
写状态寄存器周期时间
页编程时间
扇区擦除时间
块擦除时间
芯片
擦除时间
注意：
1. TCLKH + TCLKL必须大于或等于1 /
F
CLK
2.价值由特性保证，而不是100 ％生产测试。
3.仅适用于作为一个写状态寄存器指令时，状态寄存器的保护位设置为1的约束。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
23
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2008年6月23日
