FX50SMJ-03
高速开关使用
P沟道功率MOS FET
REJ03G0279-0100
Rev.1.00
Aug.20.2004
特点
驱动电压： 4 V
V
DSS
: – 30 V
r
DS （ ON） （ MAX ）
: 35 m
I
D
: – 50 A
综合快恢复二极管的恢复时间（典型值） ： 55纳秒
概要
TO-3P
3
4
1
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
1
2
3
2, 4
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制的DC-DC转换器等。
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
块
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
—
评级
–30
±20
–50
–200
–50
–50
–200
70
- 55 + 150
- 55 + 150
4.8
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
L = 10
H
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
典型的价值
Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ，页6 1
