半导体
技术参数
概述
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，快
反向恢复时间，
低导通电阻，低栅
充电和出色的雪崩特性。它主要适用于
电子镇流器和开关模式电源。
特点
V
DSS
= 500V ，我
D
= 5.0A
·漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
=1.4 @V
GS
= 10V
·QG （典型值）
= 12NC
t
RR （典型值）
=为150ns
D
KF5N50PR/FR/PS/FS
N沟道MOS场
场效应晶体管
KF5N50PR ， KF5N50PS
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
N
N
H
P
最大额定值（ TC = 25 ℃ ）
等级
特征
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
j
T
英镑
83
0.66
150
-55½150
5.0
2.9
13
270
8.6
20
41.5
0.33
KF5N50PR
KF5N50PS
500
±30
5.0*
2.9*
13*
A
KF5N50FR
KF5N50FS
单位
1
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
15.95 MAX
B
1.3+0.1/-0.05
C
_
D
0.8 + 0.1
_
E
3.6 + 0.2
_
F
2.8 + 0.1
3.7
G
H
0.5+0.1/-0.05
1.5
I
_
13.08 + 0.3
J
K
1.46
_
1.4 + 0.1
L
_
1.27+ 0.1
M
_
2.54 + 0.2
N
_
4.5 + 0.2
O
_ 0.2
2.4 +
P
_
9.2 + 0.2
Q
2
3
1.门
2.漏
3.源
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25℃
漏电流
@T
C
=100℃
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25℃
减免上述25 °
V
V
TO-220AB
KF5N50FR ， KF5N50FS
A
S
E
G
B
F
C
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
P
暗淡
MILLIMETERS
K
L
L
R
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结点到
环境
M
D
D
J
N
N
H
R
thJC
R
thJA
1.5
62.5
3.0
62.5
℃/W
1
2
3
Q
℃/W
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
*：漏电流受最高结温。
1.门
2.漏
3.源
引脚连接
（ KF5N50PR ， KF5N50FR ）
D
TO-220IS
（ KF5N50PS ， KF5N50FS ）
D
G
S
G
S
2008. 10. 10
版本号： 0
1/7
