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NCP4303A/B
功耗计算
要考虑的功耗是非常重要的
一个SR系统的MOSFET驱动器。如果没有外部栅极电阻
用于与MOSFET的栅极内部电阻是
非常低的，几乎涉及到栅极电荷全部的能量损失
消耗在驱动程序。因此，有必要检查的SR
驱动器的功率损耗在目标应用程序，以避免过
温度和优化效率。
在开关磁阻系统的SR MOSFET的体二极管开始
在进行之前打开，因为V
th_cs_on
门槛
电平低于0V。在另一方面，在SR MOSFET导通
关闭过程总是从漏极至源极电压之前
显著上升。因此， MOSFET开关
总是在零电压操作开关（ZVS）
在同步执行时的条件
整改制度。
下列步骤显示了如何计算约
的功耗和芯片温度
NCP4303A / B控制器。需要注意的是真正的结果可能会有所不同，由于
到对热阻的PCB布局的影响。
第1步 - MOSFET的栅源电容：
在ZVS工作的栅漏电容呢
没有像在硬开关系统米勒效应
因为漏极至源极电压接近零和其
变化是可以忽略不计。
C
国际空间站
+
C
gs
)
C
gd
C
RSS
+
C
gd
C
OSS
+
C
ds
)
C
gd
图52.典型MOSFET的电容依赖于V
ds
和V
gs
电压
因此， MOSFET的输入电容操作
在零电压模式被栅极的并联组合给予
到源极和栅极漏电容（即
国际空间站
电容
对于给定的栅极到源极电压）。总栅极电荷，
Q
G_TOTAL
目前市场上大多数的MOSFET ，被定义为硬
交换条件。为了准确地计算出
行驶在SR系统损失的，确定是必要的
MOSFET的操作在一个栅极电荷专
ZVS系统。一些制造商定义此参数为
Q
g_ZVS
。不幸的是，大多数的数据表没有提供这
数据。如果C
国际空间站
（或Q
g_ZVS
）参数是不可用，则
它需要被测量。请注意，输入
电容不是线性的（如所示图52） ，它需要
的特征在于对于给定的栅极电压钳位电平。
第2步 - 栅极驱动损耗计算：
至源极电压
在这种情况下， NCP4303A应
使用。
的总的驱动损失，可以计算使用所选择的
栅极驱动钳位电压和输入电容
MOSFET ：
P
DRV_total
+
V
CC
@
V
钳
@
C
g_ZVS
@
f
SW
（当量8）
栅极驱动损耗受栅极驱动钳
电压。栅极驱动器的钳位电压的选择取决于
MOSFET的使用类型（阈值电压与通道
阻力位）。总功率损耗（驾驶和损失
传导损耗）应选择时要考虑
栅极驱动钳位电压。今天的大多数MOSFET，以SR
系统具有低R
DS （ ON）
5 V V
gs
电压，因此它
是有益的是使用NCP4303B 。然而，仍然有一个大
组需要较高栅极市场上的MOSFET的
其中：
V
cc
是NCP4303x电源电压
V
钳
是驱动钳位电压
C
g_ZVS
是栅极到源极的MOSFET的电容中
ZVS方式
f
sw
是目标应用程序的切换频率
总的驱动功率损失将不仅在消退
上述IC ，而且在外部电阻一样的外部栅
电阻器（如果使用）和MOSFET内部栅极电阻
（图53） 。由于NCP4303A / B有钳位
驱动器，它的高侧部可以被建模为一个正规
用等效电阻和串联电压驱动开关
源。低侧驱动器开关电阻不降
立即关断时，因此有必要使用一个
等效值（R
drv_low_eq
）进行计算。该方法
简化了功率损耗的计算和仍提供
可接受的准确度。内部驱动器的功率耗散能
然后使用公式9计算：
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