数据表
NPN硅锗RF晶体管
NESG2031M16
NPN硅锗RF晶体管
低噪声，高增益放大
6 -PIN LEAD - LESS MINIMOLD （ M16 1208 PKG ）
特点
该设备是针对低噪声，高增益放大的理想选择
NF = 0.8 dB典型值。 ，G
a
= 17.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
NF = 1.3 dB典型值。 ，G
a
= 10.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 5.2 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 21.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
高击穿电压技术，硅锗Tr的。采用： V
首席执行官
（绝对最大额定值） = 5.0 V
6针引线少minimold （ M16 ， 1208 PKG ）
<R>
订购信息
产品型号
NESG2031M16
订单号
NESG2031M16-A
包
6引脚无铅减Minimold
（ M16 ， 1208 PKG ）
NESG2031M16-T3
NESG2031M16-T3-A
（无铅）
QUANTITY
50个
（无卷）
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （珍藏） ，引脚6 （发射极）所面临的
带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
13.0
5.0
1.5
35
175
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10394EJ03V0DS （第3版）
发布日期2009 NS月
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
2003, 2009
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
