IRFL210 ， SiHFL210
Vishay Siliconix公司
300
250
200
C
国际空间站
150
C
OSS
100
50
0
10
0
10
1
C
RSS
I
SD
，反向漏电流（ A）
电容（pF）
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
1
10
0
150
°
C
25
°
C
10
-1
0.4
91193_07
V
GS
= 0
V
0.8
1.2
1.6
2.0
91193_05
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
I
D
= 3.3 A
V
DS
= 160
V
V
DS
= 100
V
10
2
5
在这一领域有限
by
R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
16
V
DS
= 40
V
2
10
5
12
2
100
s
1
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
1
2
5
8
1
5
4
测试电路
见图13
2
10
ms
2
5
2
5
0
0
91193_06
0.1
2
4
6
8
10
91193_08
10
10
2
10
3
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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4
文档编号： 91193
S- 81377 -REV 。 A， 30军08
