位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第0页 > HYM72V64C756T4 > HYM72V64C756T4 PDF资料 > HYM72V64C756T4 PDF资料1第6页
PC100 SDRAM DIMM注册
HYM72V64C756T4P系列
持续
字节
数
BYTE73
BYTE74
BYTE75
BYTE76
BYTE77
BYTE78
BYTE79
BYTE80
BYTE81
BYTE82
BYTE83
BYTE84
BYTE85
BYTE86
BYTE87
~90
BYTE91
BYTE92
BYTE93
BYTE94
BYTE95
~98
BYTE99
~125
BYTE126
BYTE127
BYTE128
~256
功能
描述
制造商零件编号（组件）
s
制造商零件编号（256型）
s
制造商零件编号（ Voltage接口）
s
制造商零件编号（存储宽度）
s
....制造商零件编号（存储宽度）
s
制造商零件编号（模块式）
s
制造商零件编号（数据宽度）
s
....制造商零件编号（数据宽度）
s
制造商零件编号（ Refresh（刷新） ， SDRAM行）
s
制造商零件编号（代）
s
制造商零件编号（封装类型）
s
制造商零件编号（安腾服务器）
s
制造商零件编号（ Hyphent ）
s
制造商零件编号（最小周期时间）
s
制造商零件编号
s
修订代码（子项目）
....修订码（ PCB）
生产日期
....生产日期
装配序列号
制造商的具体数据（可能在将来使用）
系统频率支持
为100MHz的英特尔支持的详细规格
未使用的存储位置
功能
-8
-P
图7（ SDRAM）的
2
V（ 3.3V ， LVTTL ）
6
4
C
7
5
6 （ 8K刷新， 4Banks ）
T
4 （4个基础）
P
- （连字符）
价值
-S
-8
-P
37h
32h
56h
36h
34h
43h
37h
35h
36h
54h
34h
50h
2Dh
记
-S
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
8
P
空白
过程代码
过程代码
工作周
YEAR
编号
无
100MHz
参见注7
-
S
38h
50h
20h
-
-
-
-
-
00h
64h
53h
4, 5
4, 5
4, 6
4, 6
3, 6
3, 6
6
7, 8
8Fh
00h
8Dh
7, 8
注意：
1.银行地址被排除
2. 1 ，2，4 ， 8，用于交错突发类型
3.采用BCD
4.采用ASCII
5.基本上海力士写道型号除外HYM'in字节73 90 ，从73字节利用有限的18个字节为90字节
‘
6.不是固定的，而是依赖
7. CK0连接到DIMM ， TBD结温， CL2 （ 3 ）支持，英特尔定义的并行自动预充电支持
8.请参见英特尔SPD规范1.2B
9.参见力士网站。
1.0版/ Jul.00
6
