HFB1N70
2007年1月
BV
DSS
= 700 V
HFB1N70
700V N沟道MOSFET
特点
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
优良的开关特性
无与伦比的闸电荷： 4 5 NC （典型值）
4.5
（典型值）。
扩展安全工作区
低
DS （ ON）
: 10.3
（典型值） @V
GS
=10V
100％的雪崩测试
R
DS （ ON） （典型值）
= 10.3
I
D
= 0.3 A
TO-92
1
3
1.Gate 2.排水3.源
D
2
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
- 连续（T
C
= 25℃)
- 连续（T
C
= 100℃)
- 脉冲
（注1 ）
价值
700
0.3
0.18
1.2
±30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
33
0.3
03
0.25
4.5
2.5
0.02
-55到+150
300
功率耗散（T
C
= 25℃)
- 减免上述25 ℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热阻特性
符号
R
θJL
R
θJA
结到铅
结到环境
结到环境
参数
典型值。
--
--
马克斯。
50
140
℃/W
单位
◎ SEMIHOW REV.A0 ， 2006年4月
