IRF9321PbF
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J = 25°C
T J = 125°C
ID = -15A
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
20
60
50
40
VGS = -4.5V
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
-I D，漏电流（ A）
VGS = -10V
图12 。
导通电阻比。栅极电压
1400
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
-V GS ，门-to - 源电压（V ）
图13 。
典型导通电阻与漏电流
1000
1200
1000
800
600
400
200
0
25
50
75
单脉冲功率（ W）
ID
顶部
-1.4A
-2.2A
BOTTOM -12A
800
600
400
200
100
125
150
0
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
开始T J ，结温（ ° C）
时间（秒）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
图15 。
典型功耗比。时间
D.U.T
*
驱动栅极驱动器
+
P.W.
期
D=
P.W.
期
V
GS
=10V
-
+
电路布局的注意事项
低杂散电感
地平面
低漏感
电流互感器
*
D.U.T.我
SD
波形
反向
恢复
当前
体二极管正向
当前
的di / dt
D.U.T. V
DS
波形
二极管恢复
dv / dt的
-
-
+
R
G
di / dt的由R控制
G
驱动器的类型相同D.U.T.
I
SD
通过占空比控制"D"
D.U.T. - 被测设备
V
DD
V
DD
+
-
重施
电压
体二极管
正向压降
感应器
CURENT
感应器
当前
纹波
≤
5%
I
SD
*
反向D.U.T的极性为P沟道
*
V
GS
= 5V的逻辑电平器件
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图16 。
二极管的反向恢复测试电路
对于P沟道HEXFET
功率MOSFET
5
