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LTC3859
应用信息
的峰 - 峰值驱动电平由INTV设置
CC
电压。
这个电压通常为5.4V在启动过程中（见EXTV
CC
引脚连接） 。因此，逻辑电平阈值
MOSFET必须在大多数应用中使用。接近支付
注意BV
DSS
特定网络阳离子的MOSFET作为
好;许多逻辑电平的MOSFET被限制为30V
或更小。
对于功率MOSFET的选择标准包括：
上阻抗R
DS （ ON）
米勒电容C
磨坊主
输入
电压和最大输出电流。米勒电容，
C
磨坊主
可以从栅极电荷曲线来近似
通常设置在MOSFET的制造商的数据
表。
磨坊主
等于增加的栅极电荷
沿水平轴，而曲线近似
佛罗里达州在通过V的特定网络版的变化划分
DS
。这个结果是
然后，通过施加V中的应用程序的比率乘以
DS
到栅极电荷曲线特定网络版V
DS
。当IC是
在连续模式中操作的工作周期为顶端
和低端MOSFET由下式给出：
V
降压主开关占空比=
OUT
V
IN
V
V
降压型同步开关的占空比=
IN OUT
V
IN
V
V
提高主开关管的占空比
=
OUT IN
V
OUT
同步升压开关的占空比
=
V
IN
V
OUT
P
主要BOOST _
=
(
V
OUT
V
IN
)
V
OUT
V
IN
2
(
I
输出（最大）
)
2
V
2
I
OUT
输出（最大）
(
1+
δ
)
R
DS （ ON）
+
V
IN
2
1
1
+
(f)
V
THmin
V
THmin
INTVCC
2
V
P
SYNC BOOST _
=
IN
I
输出（最大）
(
1+
δ
)
R
DS （ ON）
V
OUT
(
R
DR
)
(
C
磨坊主
)
V
(
)
哪里
ζ
为R的温度依赖性
DS （ ON）
和
RDR （约2Ω ）为有效驱动电阻
在MOSFET的米勒门限电压。 V
THmin
为
典型MOSFET的最小阈值电压。
两个MOSFET有我
2
损失而主N沟道
方程的降压和升压控制器包括
附加项的转换损耗，这是最高的
高输入电压为雄鹿和低输入电压为
升压。对于V
IN
< 20V （高V
IN
为升压）的高
目前英法fi效率具有较大的MOSFET普遍提高，
而对于V
IN
> 20V （低V
IN
为升压）的过渡
损失急剧增加的点，使用较高
R
DS （ ON）
器件具有较低的
磨坊主
实际上提供了更高的
EF网络效率。同步MOSFET的损耗为降压
控制器是最大的，在高输入电压时的顶
开关占空因数低或短路期间，当
同步开关是关闭时的时期的100％。该
同步MOSFET损耗的升压控制器都
当输入电压接近输出电压最大
年龄或过压事件同步时，在
开关的接通期间的100％。
术语（ 1+
ζ)
在MOSFET的一般定
归一化的R形
DS （ ON）
与温度的曲线，但
ζ
= 0.005 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。
可选的肖特基二极管中所示D4， D5和D6
期间之间的死区时间图13进行
导通两个功率MOSFET 。这可以防止
同步MOSFET的转动体二极管
上，在死区时间存储电荷和要求
相反，可能花费多达3 ％的恢复期
在英法fi效率高V
IN
。为1A至3A肖特基一般
3859f
该MOSFET的功耗最大输出
电流由下式给出：
P
主要BUCK _
=
(V
IN
)
V
OUT
I
V
IN OUT （ MAX）
(
)
(
1+
δ
)
R
2
DS （ ON）
+
2
I
输出（最大）
2
(R
DR
)(C
磨坊主
)
1
1
+
(f)
V
INTVCC
V
THmin
V
THmin
V
V
P
同步BUCK _
=
IN OUT
I
输出（最大）
V
IN
(
)
(
1+
δ
)
R
2
DS （ ON）
22
