LTC3415
典型性能特性
EF网络效率和功率损耗VS
负载电流（ 3种操作模式）
（参考图13 ）
100
90
80
70
V
OUT
= 1.8V
V
IN
= 3.3V
电源电流（mA ）
1
10
1.6
1.4
电源电流与V
IN
40
35
R
DSON
VS V
IN
PFET
60
50
40
30
20
10
0
0.001
％ （突发）
％ （ PSKIP ）
％ （ FC ）
W（突发）
W（ PSKIP ）
W（ FC ）
0.01
0.1
1
负载电流（A ）
0.1
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
O
= 1.2V突发模式
导通电阻（ MΩ）
1.2
V
O
= 1.2V脉冲跳跃
30
25
NFET
20
15
10
5
0
2.25
损耗（毫瓦）
效率（％）
0.01
0.001
10
0
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压（ V）
5
5.5
3415 G03
3415 G01
3.25
4.25
输入电压（ V）
5.25
3415 G04
R
DSON
与温度
40
0.5
0.4
负载调整率
（参考图13 ）
FC模式
V
IN
= 3.3V
V
OUT
= 1.8V
负载阶跃
（参考图13 ）
V
OUT
（AC）的
100mV/
DIV
35
PMOS功率
负载调整率（ ％ ）
0.3
0.2
0.1
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
R
DSON
(mΩ)
30
I
L
5A/
DIV
I
OUT
5A/DIV
40μs/DIV
强制连续
I
负载
= 0.1A至5A
3415 G08
25
功率NMOS
20
15
–100
–0.5
V
IN
= 3.3V
V
OUT
= 1.8V
0
1
2
3
4
5
6
负载电流（A ）
7
8
–50
100
0
50
温度（℃）
150
3415 G05
3415 G06
振荡器频率
与温度
2.0
EF网络效率和功率损耗与负载
目前的强制连续模式
100
90
V
OUT
= 1.8V
10
振荡器频率（MHz）
1.8
效率（％）
80
70
60
50
40
30
功率损耗
0.1
损耗（毫瓦）
效率
1
1.6
1.4
1.2
20
10
1.0
–100
–50
0
50
100
温度（℃）
150
3415 G11
0
0.01
0.1
1
负载电流（A ）
2.5V
3.3V
5V 0.01
10
3415 G02
3415fa
4
