NTB6412AN ， NTP6412AN
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
Q
T
V
GS
Q
gd
100
80
60
40
V
DS
= 80 V
I
D
= 58 A
T
J
= 25°C
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
70
20
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
5000
4000
3000
C
国际空间站
2000
1000
0
C
RSS
0
C
OSS
10 20 30 40 50 60 70 80 90
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
10
8
V
DS
6
4
2
0
Q
gs
C，电容（pF ）
100
图7.电容变化
1000
图8.栅极 - 源极电压和
漏极至源极电压与总充电
60
I
S
，源电流（ A）
50
40
30
20
10
0
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V
I
D
= 58 A
V
GS
= 10 V
t
f
t
r
t
D（关闭）
t
D（上）
T， TIME （ NS ）
100
10
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1.0
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
1000
雪崩能量（兆焦耳）
300
I
D
= 44.7 A
I
D
，漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
200
10
1毫秒
10毫秒
dc
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
1
0.1
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
1000
0
25
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温
175
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