NX25F011B
NX25F021B
NX25F041B
扇区格式
标准串行闪存器件的存储器阵列是
工厂编程为一个完整的擦除状态设置为所有位
“1”（ FFH） 。 NexFlash还提供受限制的行业设备
（用“ -R”后缀），其可以提供一种更具成本效益的
替代具有100％的有效标准设备
部门。限制机构装置具有有限数量
对不符合生产规划部门
标准在规定的工作范围。第一再见
在“-R”设备好每一个部门是在预编程
制造与C9H的标签/同步值。虽然这
扇区的字节位置是可以改变的，它是中建议
修补，它保持和掺入
应用程序的行业格式。标签/值同步服务
两个目的。首先，它们提供了一种同步检测可以
帮助验证如果命令序列移入
设备正常。其次，他们作为一个标签来识别
一个全功能的（有效）部门。对于缺陷扇区时，
第一个字节的标记比C9H其他的模式。此外
个别部门的标签，对于所有限制的行业给予
设备中列出的设备信息部门。欲了解更多
信息，请参阅设备信息的最新版本
行业应用笔记SFAN -02 。
分组静态和常见
更新后的数据
在NX25F011B / 021B / 041B的数据块是每32个
行业从0扇区开始;也就是说，块0扇区
0 - 31 ，方框1是扇区32 - 63等。请参考图
4.对于最高的数据完整性，分开是很重要的
静态数据（配置设置，表），并经常
更新后的数据（流式语音/图象或数据采集）
成独立的模块。根据这一惯例优化
用于在存储在快闪单元中的数据的环境
每个块。
1
2
3
4
写校验
写入SRAM命令
5
6
7
NO
高数据完整性的应用
使用闪存存储器或其它数据存储的应用
非易失性介质必须考虑到所提供的可能
噪音或其他不利的系统条件，可能的相容性
影响数据的完整性。对于那些需要的应用程序
更高水平的数据完整性是一个推荐的做法
使用纠错码（ ECC ）技术。该
NexFlash串行闪存开发工具包提供了一个软件
常规的32位ECC ，可以检测到2位的错误
和正确的。在ECC不仅最大限度地减少问题
通过系统噪声引起的，但也可以延长闪存
耐力。
SRAM传输到指挥部门
准备好了吗？
程序设计
做了什么？
是的
8
9
10
比较行业与SRAM命令
写/校验流程
当量
对于那些没有系统的处理能力来处理
ECC算法，一个简单的“后写入验证”是中建议
谁料。写验证，可以快速完成（小于T
XS
)
通过行业比较命令。比较结果
可以在状态寄存器进行检查。如果比较不
等于（CNE = 1 ），那么扇区重写应该使用做
转移到部门命令（图12） 。单重试
足以满足大多数应用。然而，如果应用程序
化需要长期的耐力额外retrys可
补充说。串行闪存开发工具包软件包括
一个简单的写入/校验程序将比较写入的数据
给定的部门和改写部门，如果是比较
不正确的。
NO
是的
重试
计数器
重试
不再
重试
回报
错误
11
12
图12.写入/校验流程
NexFlash技术公司
初步
NXSF016F-1201
12/12/01
29
