NX25F011B
NX25F021B
NX25F041B
写部门通过SRAM （ F3H ）
在刻录界的闪存阵列中，所有的
硬件和软件写保护必须处于
启用状态。这意味着该
WP
引脚必须在
高的状态下，
写使能
命令必须有previ-
ously已发出，扇区位置，即得到
写必须是外部的写保护范围内设置
配置寄存器。此外，就绪/忙
状态，应检查，以确认该存储器
阵列可用来写入。
写入一个扇区由第一自备完成
CS
低，并在移
写扇区
命令（ F3H ）
接着是16位的“扇区地址”字段。虽然
扇区的地址字段是16位，只比特S [ 8：0]为
NX25F011B （ 0-1FFH ） ，S- [9：0 ]为NX25F021B
（ 0-3FFH ） ，或S [10：0 ]为NX25F041B （ 0-7FFH ）是
使用。最上面的扇区地址位不用于
但必须移入（用0数据） 。继业
地址， 16位“字节地址”字段移入
设备的264字节的范围内指定起始位置
部门。只有位B [ 8：0]字节的地址字段的使用
和0-107H （ 264字节）的唯一值是有效的。
字节地址已经被加载之后，数据被移
成264字节的SRAM ，它作为一个临时
存储缓冲区。在SRAM中现有的数据将被写入
过。中的数据的字节顺序移入SRAM的
最显著的第一字节（即字节00H ，字节01H ， ... ） 。
每个字节中的位顺序是最显著位第一
（即， D7， ... D0） 。字节地址是自动递增
mented到下一个更高的字节地址作为时钟
继续。当要写入的最后一个字节的地址是
到达时，该命令可以与完成
另外八个时钟控制（数据= 0 ），其次是
主张
CS
高。如果时钟继续递增
过去的最高字节地址（ 107H ）时，地址计数器
将翻转到字节0H 。
后
CS
引脚变为高电平时，数据在SRAM是
传送到存储器阵列中指定的扇区。看
t
WP
时序规范。在此期间，所述阵列和
SRAM将是“忙” ，而忽略进一步的阵列相关
指令，直到完成。一切就绪/忙状态indi-
cators将指示忙状态。详细时钟定时
对于
写扇区
命令，如图11所示。
写
扇形
命令
SI
SO
F3H
扇形
地址*
S[15:0]
字节
地址**
B[15:0]
写扇区数据
第一个字节 - 最后字节
8个时钟
00H
节目
时间
(
t
WP
)
*扇区地址只使用位[ 8：0] ， [9：0 ]或[ 10：0]
**字节地址仅使用位[ 8：0]
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NexFlash技术公司
初步
NXSF016F-1201
12/12/01
