订购数量： ENN6646
3LP01N
P沟道MOSFET硅
3LP01N
超高速开关应用
特点
包装尺寸
单位：mm
2178
5.0
4.0
低导通电阻。
超高速开关。
2.5V驱动器。
[3LP01N]
4.0
0.45
0.5
0.6
2.0
5.0
0.45
0.44
1
2
3
14.0
1 ：源
2 ：排水
3 ：门
1.3
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
条件
1.3
三洋： NP
评级
-
-30
±10
--0.1
--0.4
0.4
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极对水稻源漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0
VDS = -
-30V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = -
-10V ， ID = - 100μA
VDS = -
-10V ， ID = - 50毫安
评级
民
--30
--10
±10
--0.4
80
110
--1.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
mS
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
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90100 TS IM TA -2004 No.6646-1 / 4
