订购数量： ENA1182
ECH8308
三洋半导体
数据表
P沟道MOSFET硅
ECH8308
特点
通用开关设备
应用
最适合用于负载开关。
低导通电阻。
1.8V驱动器。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在陶瓷基体（ 900毫米
0.8mm)
2
条件
评级
--12
±10
--10
--40
1.6
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
条件
ID = -
-1mA ， VGS = 0V
VDS = -
-12V ， VGS = 0V
VGS = ± 8V ， VDS = 0V
VDS = -
-6V ，ID = -
-1mA
VDS = -
-6V ，ID = -
-5A
ID = -
-5A ， VGS = -
-4.5V
ID = -
-3A ， VGS = -
-2.5V
ID = -
-1A ， VGS = -
-1.8V
--0.4
12
21
9.2
14
22
12.5
20
33
评级
民
--12
--10
±10
--1.3
典型值
最大
单位
V
μ
A
μ
A
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
标记： JK
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