EBJ21UE8BDS0
电气规格
所有电压参考VSS （ GND） 。
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
参考电压
参考电压DQ
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
VDD
VIN
VOUT
VREFCA
VREFDQ
TSTG
PD
IOUT
价值
0.4
到1.975
0.4
到1.975
0.4
到1.975
0.4
0.6
×
VDD
0.4
0.6
×
VDDQ
55
+100
8
50
单位
V
V
V
V
V
°C
W
mA
1, 4
笔记
1, 3, 4
1, 4
1, 4
3, 4
3, 4
1, 2, 4
注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
3. VDD和VDDQ必须在彼此的时候都为300mV ;和VREF必须不大于
0.6
×
VDDQ ，当VDD和VDDQ小于500mV的; VREF可以等于或小于300mV的。
4. DDR3 SDRAM组件规范。
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
本说明书中暴露在绝对最大额定值的操作部分中描述
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
工作温度条件
参数
工作温度
符号
TC
等级
0至+95
单位
°C
笔记
1, 2, 3
注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.正常温度范围规定的温度下，所有的DRAM规格会
支持。在操作过程中，必须保持在0 ℃至+ 85 ℃下的DRAM的情况下，温度
在所有工作条件。
3.有些应用需要在+ 85°C扩展级温度范围DRAM的操作
和+ 95°C的外壳温度。全规格都保证在该范围内，但以下的附加
报考条件：
a)
刷新命令必须在频率提高一倍，从而降低刷新间隔tREFI到
3.9μs 。 （这种双重刷新规定可能不适用于某些设备。 ）
b)
如果需要在扩展温度范围自刷新操作，则它是强制性的，以
无论是使用手动自刷新模式，扩展级温度范围性能（ MR2位
[ A6，A7 ] = [ 0 ，1] ）或使能了可选自动自刷新模式（ MR2的位[ A6，A7 ] = [ 1,0 ]）。
初步数据表E1513E10 （版本1.0 ）
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