MTP50P03HDL
首选设备
功率MOSFET
50安培， 30伏特，逻辑电平
P沟道TO- 220
这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的
雪崩和减刑模式。高效节能的设计也
提供了漏极 - 源极二极管具有快速的恢复时间。设计
低电压，在电源高速开关应用，
变换器和PWM马达控制，这些设备是特别
非常适合桥式电路中的二极管速度和换向
安全工作领域是至关重要的，并提供了额外的安全边际
对意外的电压瞬变。
特点
http://onsemi.com
50安培， 30伏
R
DS （ ON）
= 25毫瓦
P- CHANNEL
较高的雪崩能量
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
无铅包装是可用*
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅源电压
- 连续
- 不重复（T
p
≤
10毫秒）
漏电流 - 连续
漏电流
- 连续@ 100℃
漏电流
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功耗
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，峰值
I
L
= 50 APK， L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W)
热阻，
结到外壳
结到环境，安装时用
推荐的最小焊盘尺寸
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
30
30
±
15
±
20
50
31
150
125
1.0
-55
150
1250
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
APK
W
W / ℃，
°C
mJ
1
2
4
G
D
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
TO220AB
CASE 221A
风格5
M50P03HDLG
AYWW
3
1
门
2
漏
M50P03HDL =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
3
来源
° C / W
R
QJC
R
qJA
T
L
1.0
62.5
260
°C
订购信息
设备
MTP50P03HDL
MTP50P03HDLG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 修订版6
出版订单号：
MTP50P03HDL/D
