MTP50P03HDL
VDS ，漏极至源极电压（伏）
VGS ，栅极至源极电压（伏）
6
QT
5
Q1
4
3
2
1
Q3
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
70
Q
T
，总栅极电荷（ NC）
I
D
= 50 A
T
J
= 25°C
Q2
V
GS
25
20
15
10
5
0
80
30
1000
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
T
J
= 25°C
t
r
t
f
t
D（关闭）
T， TIME （ NS ）
100
t
D（上）
10
1
R
G
，栅极电阻（欧姆）
10
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
漏极至源极二极管特性
的MOSFET的体二极管的开关特性
在系统中非常重要的使用它作为一个续流或
整流二极管。特别令人感兴趣的是在反向
其中在起主要作用的恢复特性
确定开关损耗，辐射噪声， EMI和RFI 。
系统的开关损耗主要是由于性质
体二极管本身。体二极管是少数载流子
设备，因此，它具有有限的反向恢复时间t
rr
由于
对少数载流子电荷Q的存储
RR
，如图
图12.典型的反向恢复波形正是这种
存储的电荷，从所述二极管被清除时，通过
通过一个电位，并限定了能量损失。显然，
多次强迫通过反向恢复二极管
进一步增加了开关损耗。因此，一会
像短T二极管
rr
和低Q
RR
规格
尽量减少这些损失。
二极管的反向恢复的突然影响
辐射噪声，尖峰电压和电流的量
响。在工作机制是有限的不可移动
电路的寄生电感和电容作用于其
50
I S ，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
40
高di / DTS 。吨时二极管的负的di / dt
a
直接
由设备清除所存储的电荷来控制。
然而，叔在正面的di / dt
b
是一种不可控的
二极管特性，并且通常是诱导的罪魁祸首
电流振荡。因此，比较二极管时，该
吨的比例
b
/t
a
作为恢复的一个很好的指标
突然性，从而给出了一个估计的比较
可能产生的噪声。的1的比率被认为是理想的，并
值小于0.5被认为是活泼的。
相较于安森美半导体标准单元密度
低电压的MOSFET ，高细胞密度的MOSFET二极管
为更快（更短吨
rr
） ，有较少的存储电荷和柔软
的反向恢复特性。的柔软性优势
在高细胞密度二极管装置，它们可以通过被强制
反向恢复在较高的di / dt大于一个标准信元
在不增加电流振荡或MOSFET的二极管
产生的噪声。另外，功率耗散所产生
从开关二极管将不太由于较短
恢复时间和更低的开关损耗。
30
20
10
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
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