ADP1882/ADP1883
IC部分（左侧评估板）
专用飞机为模拟地平面（ GND ）应
是独立于主电源接地平面（PGND ） 。同
可能的最短路径，模拟接地层连接
GND引脚（引脚4 ） 。此平面应仅在顶部层
评估板。为了避免串音干扰，有
不应该是任何其它电压或直接电流通路
下面的第2层，第3层，或者这层平面4.连接
所有敏感的模拟的组件的到所述负接线端
模拟接地层。这种敏感的模拟比较的例子
组件的例如电阻分压器底部电阻器，所述
高频旁路电容器偏压（ 0.1 F ）和
补偿网络。
直接安装在整个VDD （引脚5） 1 μF旁路电容和
PGND （引脚7 ） 。此外， 0.1 μF，这在整个VDD绑
（ 5脚）和GND （引脚4 ） 。
SW节点靠近评估板的顶部。西南
节点应使用最少量的面积可能和保持
远离敏感的模拟电路和部件，因为
这就是在磁通密度最突然的变化发生。当
可能的话，复制此垫到第2层和第3层的热
救济和直接消除任何其它电压和电流通路
下面SW节点平面。填充SW节点平面与
通路，主要是围绕所述电感器端子的暴露焊盘和
围绕Q1 / Q2的源极的周边和漏极
Q3 / Q4 。输出电压的电源层（V
OUT
）是在右
评估板的最末尾。这架飞机应该被复制，
降下来的多层带通孔的周围
电感器端和输出大的正端子
电容器。确保输出的负极端子
电容放置在靠近主电源接地（地线）
如前面提到的。所有的这些点组成了一个紧密圈
（部件几何形状而定） ，最大限度地减少的面积
磁通变化为D和1之间的事件开关 - D.
电源部分
如图84 ，一个合适的配置来定位
从高电压输入大电流传输（V
IN
）至输出
把（V
OUT
） ，然后返回到电源地，把在V
IN
在左边，在右边的输出平面上，并且所述主电源面
接地平面在两者之间。从目前的转移
输入电容，输出电容，通过Q1 / Q2，在
导通状态（参见图88）。该电流（黄色的方向
箭头）保持为Q1 / Q2关断， Q3 / Q4导通。
当Q 3 / Q 4导通时，电流方向继续
保持（红色箭头） ，因为它与电源地绕
大容量电容器向输出电容器的端子，通过
该Q3 / Q4 。排号的电源层以这种方式最大限度地减少
其中在磁通变化的区域发生，如果当前通过
Q1 / Q2突然停止。在不断变化的突然变化，通常在
Q1 / Q2的源端Q3 / Q4的漏极端子，
引起大的dV / dt的在SW节点。
差分检测
由于ADP1882 / ADP1883工作在谷电流
模式控制，差分电压读数时穿过
漏和下侧MOSFET的源极。的漏
低侧MOSFET的连接方式如尽可能地接近
IC的引脚9 （ SW） 。同样地，连接源越近
能引脚IC的7 （保护地） 。在可能的情况，两者的
这些轨线应窄且远离任何其他
有源设备或电压/电流路径。
SW
保护地
SW
VOUT
第1层：感应线SW
（漏极低端MOSFET的）
第1层：感应线地线
（源减小MOSFET的）
08901-088
下侧MOSFET为图89.漏极/源追踪攻丝
CS放大器的差分检测（黄色感应线第2层）
VIN
保护地
图88.初级电流通路在上侧的导通状态
MOSFET （左箭头）和低边MOSFET的导通状态（右箭头）
差分传感还应最外层之间施加
输出电容与反馈电阻分压器（见图86
和图87）。连接输出的正端
电容器顶端电阻器（R
T
） 。接的负极端子
输出电容器的底部的负极端子的
电阻器，它连接到模拟地平面，以及。
这两个磁迹线的，如前面提到的，应
窄和远离任何其他有源器件或电压/
当前的路径。
08901-087
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